2Т603А транзистор NPN (600mA 30В) Au (ТО5)

2Т603А транзистор NPN (600mA 30В) Au (ТО5) 2Т603А Транзисторы 2Т603А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,75 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: И93.365.003 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т603А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn Технические характеристики транзисторов 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ мА мА В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 2Т603А n-p-n 300 600 30 30 3 0,5 20…80 <0,8 <3 <3 - >200 <15 <40 150 -60…+125 2Т603Б n-p-n 300 600 30 30 3 0,5 60…180 <0,8 <3 <3 - >200 <15 <40 150 -60…+125 2Т603В n-p-n 300 600 15 15 3 0,5 20…80 <0,8 <3 <3 - >200 <15 <40 150 -60…+125 2Т603Г n-p-n 300 600 15 15 3 0,5 60…180 <0,8 <3 <3 - >200 <15 <40 150 -60…+125 2Т603И n-p-n 300 600 30 30 3 0,5 >20 <1,2 <3 <3 - >200 <15 <40 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.