МП10А германиевые сплавные структуры n-p-n усилительные (150 мА 30В) 150мВт

МП10 германиевые сплавные структуры n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. (150 мА 15В) 150мВт МП10А Транзисторы МП10, МП10А, МП10Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: ПЖ0.336.002 ТУ1. Основные технические характеристики транзистора МП10А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 15...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц Технические характеристики транзисторов МП10, МП10А, МП10Б, МП11, МП11А: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С IК. макс. IК. и. макс. UКБО макс. UКЭR макс. (UКЭО макс.) UЭБО макс. РК. макс. (РК. и. макс.) h21Э (h21э) UКБ (UКЭ) IЭ (IК) UКЭ нас. IКБО (IКЭR) fгp. (fh21) мА мА В В В мВт В мА В мкА МГц МП10 n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 10...30 5 1 - 30 (1) МП10А n-p-n 20 150 30 (30) 15 (150) 15...30 5 1 - (30) (1) МП10Б n-p-n 20 150 30 (30) 15 (150) 25...50 5 1 - (50) (1) МП11 n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 22...55 5 1 - 30 (2) МП11А n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 45...100 5 1 - 30 (2) Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. • UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Uкэомакс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. • Uэбомакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • Uкб - напряжение коллектор-база транзистора. • Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер транзистора. • Iэ - ток эмиттера транзистора. • Iк - постоянный ток коллектора транзистора. • Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. • fгр- граничная частота коэффициента передачи тока. • fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.