МП10А германієві сплавні структури n-p-n посилені (150 мА 30 В) 150 мВт

МП10 германієві сплавні структури n-p-n посилені низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму. (150 мА 15 В) 150 мВт МП10А Транзистори МП10, МП10А, МП10Б германієві сплавні n-p-n посилені низькочастотні з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначені для посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Позначення типу приводиться на бічній поверхні корпусу. Маса транзизора не більш ніж 2 г. Тип корпусу: КТЮ-3-6. Технічні умови: ПЖ0336.002 ТУ1. Основні технічні характеристики транзизора МП10А: • Структура транзизора: n-p-n • РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 150 мВт; • fh21б — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схем із загальним імітером і загальною базою: не менш ніж 1 МГц; • Uкбоб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 30 В; • Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 30 В; • Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 30 мкА; • h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером і загальною базою відповідно: 15...30; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 60 ПФ; • tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 5000 пс; • Кш — Коефіцієнт шуму транзизора: не більш ніж 10 дБ на частоті 1 кГц Технічні характеристики транзисторів МП10, МП10А, МП10Б, МП11, МП11А: Тип транзистори Структура Гранді За умови ТП = 25 °C Значення параметрів під час ТП=25 °C IК. макс. IК. и. макс. UКБО макс. UКЕР макс. (UКЕО макс.) UЕБЕ макс. РК. макс. (РК. і. макс.) h21Е (h21е) UКБ (UКЕ) IЕ (IК) UКЕ нас. IКБО (IКЭR) fгp. (fh21) мА мА В В мВт В мА В мКА МГц МП10 n-p-n 20 150 15 15 15 15 (150) 10...30 5 1 - 30 (1) МП10А n-p-n 20 150 30 (30) 15 (1 (150) 15...30 5 1 — 30 15 15 15 15 мП10Б n-p-n 20 150 30 (30) 155-1) 5 1 - 30 (2) МП11А n-p-n 20 150 15 (15) 15 (150) 45...100 5 1 - 30 (2) Вловні позначення електричних параметрів транзисторів: • Iк. макс — максимально допустимий постійний струм колектора транзистора. • Iк. і макс максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора. • Uкбо макс — максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера. • UкеR. макс — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-імітатор транзистора. • Uкеомакс — максимальна напруга між колектором і еміттером транзистори в разі розімкнутого кола бази та заданого струму імітера. • Uебомакс — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. • РК. макс — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора. • РК. і макс максимально допустима імпульсна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори. • h21Е — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистара. • h21Е — коефіцієнт передавання струму біполярного транзистори в режимі малого сигналу в схемі із загальним імітером. • Uкб — напруга колектор-база транзизора. • Uке — напруга колектор-емітер транзизора. • Ie — струм емітера транзизора. • Iк — постійний струм колектора транзизора. • Uke нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора. • Iкбо — зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера. • IкеR — зворотний струм колектор-емітер за заданого опору в ланцюзі база-емітер. Струм у ланцюгу колектор-емітер у разі заданої зворотної напруги колектор-емітер і заданого опору в ланцюзі база-емітер. • fгро — гранічна частота коефіцієнта передавання струму. • fh21 — гранична частота коефіцієнта передавання струму біполярного транзистора.