1НТ251(Au) транзисторная сборка (5-я приемка) (корпус 401.14-6)

1НТ251 Транзисторные сборки 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса сборки не более 0,4 г. Тип корпуса: 401.14-6. Технические условия: И93.456.000 ТУ. Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом Технические характеристики транзисторных сборок 1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А2: Тип транзисторной сборки Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ мА мА В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 1НТ251 n-p-n 400 800 45 45 4 0,4 30…150 <1 <6 <10 - >200 <15 <50 150 -60…+125 1НТ251А n-p-n 400 800 45 45 4 0,4 30…150 <1 <6 <10 - >200 <15 <50 150 -60…+125 1НТ251А2 n-p-n 400 800 45 45 4 0,4 30…150 <1 <6 <10 - >200 <15 <50 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторных сборок: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. Типоразмер корпуса 401.14-6 Габаритные размеры L*W*H 15х9х2 mm