2Т808А транзистор NPN (10А 120В) 60W кремниевый мезапланарный переключательный

2Т808А транзистор NPN (10А 120(250)В) 60W (5-я приемка) 2Т808А Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзисторов 2Т808А, КТ808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Транзистор 2Т808А-2 - бескорпусный на металлической молибденовой подложке с защитным покрытием и гибкими выводами. Масса транзисторов 2Т808А, КТ808А (без накидного фланца) не более 22 г, Тип корпуса: КТЮ-3-20. Технические условия: Ге3.365.004 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ Технические характеристики транзисторов 2Т808А, КТ808А: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ А А В В В Вт В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С 2Т808А n-p-n 10 15 120 - 4 5 (50) 15…50 - 3 15 >7,2 - 500 - 150 -60…+125 КТ808А n-p-n 10 15 120 - 4 5 (50) 15…50 - 3 15 >7,2 - 500 - 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.