П308 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni

П308 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni П308 Транзисторы П308 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводися на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ. Технические характеристики транзисторов П308: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С IК. макс. IК. и. макс. UКБО макс. UКЭR макс. UЭБО макс. РК. макс h21э UКБ IЭ UКЭ нас. IКБО fгp. мА мА В В В мВт В мА В мкА МГц П308 n-p-n 30 120 120 120 3 250 30…90 20 10 - 3 20 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. • UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Uэбо макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • Uкб - напряжение коллектор-база транзистора. • Iэ - ток эмиттера транзистора. • Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.