КП305Е кремнієві дифузійно-планарні польові з ізольованим закривом і каналом (150 mW)

КП305Е Транзистори КП305Е кремнієві дифузійно-планарні польові з ізольованим закривом і каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах високої та низької частоти з високим вхідним опором. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1 г. Тип корпусу: КТ-1-12. Технічні умови: ТФ0.336.000 ТУ. Основні технічні характеристики транзизора КП305Е: • Структура транзистора: з ізольованим закривом і n-каналом; • Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 150 мВт; • Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: не менш ніж 6 В; • Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 15 В; • Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 15 В; • Uзі max — Максимальна напруга затворів-висток: 15 В; • Iс — Строк (постійний): 15 мА • S — Крутизна характеристики: 4... 8 мА/В Характеристики польових транзисторів з ізольованим закривом і каналом n-типу КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305І: Тип польового транзисатора Р МАКС f МАКС Гральні значення параметрів за Т = 25 °C Значення параметрів під час Т=25 °C ОКР UC UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ВІДС g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11І C12И КШ МГц В В мКС·А В мКС·А / В мА / В мА пФ Ф дБ ·Б КП305Д 150 250 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 159-1,5 — <0,8 <0,8 °C 15 15 15 15 15 15 15 >6 150 <1 5,2...10,5 — <0,8 <7,5 -60...+125 КП305І 150 250 15 15 15 15 15 >6 150 <1 4...10,5 — <5 <0,8 - -60...+125 Условні позначення електричних параметрів польових транзисторів: • Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзизора. • f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзизора. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзизора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22 — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.