КП305Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом (150 mW)

КП305Е Транзисторы КП305Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Технические условия: ТФ0.336.000 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КП305Е: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА • S - Крутизна характеристики: 4... 8 мА/В Характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором и каналом n-типа КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И: Тип полевого транзистора Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С КП305Д 150 250 15 15 15 15 >6 150 <1 5,2…10,5 - <5 <0,8 <7,5 -60…+125 КП305Е 150 250 15 15 15 15 >6 150 0,005 4…8 - <5 <0,8 - -60…+125 КП305Ж 150 250 15 15 15 15 >6 150 <1 5,2…10,5 - <5 <0,8 <7,5 -60…+125 КП305И 150 250 15 15 15 15 >6 150 <1 4…10,5 - <5 <0,8 - -60…+125 Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора. • f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора. • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток. • UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток. • UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток. • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора. • UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. • S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. • C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. • C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. • КШ - коэффициент шума транзистора. • Т ОКР - температура окружающей среды.