КТ325В транзистор NPN (h21э 160...400) (1000 МГц) кремниевые усилительные с ненормир коэфф. шума

КТ325В Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип приборов 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,2 г. Тип корпуса: КТ-2-3. Технические условия: СБ0.336.047 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ325В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 160... 400; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс Технические характеристики транзисторов КТ325А, КТ325Б, КТ325В: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21э UКЭ нас. IКБО f гp. КШ СК СЭ мА мА В В В мВт В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С КТ325А n-p-n 60 60 15 15 4 225 30...90 - 0,5 800 - 2,5 2,5 150 -60…+125 КТ325Б n-p-n 60 60 15 15 4 225 70...210 - 0,5 800 - 2,5 2,5 150 -60…+125 КТ325В n-p-n 60 60 15 15 4 225 160...400 - 0,5 1000 - 2,5 2,5 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.