КТ920Г транзистор NPN генераторные 12,6Вт >400 МГц (КТ-17)

КТ920Г транзистор NPN n-p-n генераторные 50...200 МГц (КТ-17) Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта КТ920Г Транзисторы КТ920Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Технические условия: аА0.336.059 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ920Г: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7,5 мА (36В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 175 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс Технические характеристики транзисторов КТ920А, КТ920Б, КТ920В, КТ920Г: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК max h21Э UКЭ нас. IКЭR IКБО f гp. PВЫХ КУР А А В В В В Вт В мА мА МГц Вт дБ °С °С КТ920А n-p-n 0,25 1 36 - 4 12,6 5 - - <2 - >400 2 7 150 -45…+85 КТ920Б n-p-n 1 2 36 - 4 12,6 10 - - <4 - >400 5 4,5 150 -45…+85 КТ920В n-p-n 3 7 36 - 4 12,6 25 - - <7,5 - >400 20 3 150 -45…+85 КТ920Г n-p-n 3 7 36 - 4 12,6 25 - - <7,5 - >400 15 5 150 -45…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю. • UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • PВЫХ - выходная мощность транзистора. • КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.