МП25 транзисторы p-n-p германиевые сплавные универсальные низкочастотные.. Ni

МП25 Транзисторы МП25 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Технические условия: аА0.336.623 ТУ. Основные технические характеристики транзистора МП25: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...25; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс Технические характеристики транзисторов МП25, МП25А, МП25Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С IК. макс. IК. и. макс. UКЭR макс. UЭБО макс. РК. макс. h21Э UКБ IЭ UКЭ нас. IКБО fгp. мА мА В В мВт В мА В мкА МГц МП25 p-n-p 150 400 40 40 200 10...25 20 2,5 - 75 0,25 МП25А p-n-p 150 400 40 40 200 20...50 20 2,5 - 75 0,25 МП25Б p-n-p 150 400 40 40 200 30...80 20 2,5 - 75 0,5 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. • Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • Uкб - напряжение коллектор-база транзистора. • UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора. • Iэ - ток эмиттера транзистора. • Iк - постоянный ток коллектора транзистора. • Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • fгр- граничная частота коэффициента передачи тока. • fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.