КП103Л-1, Транзистор польовий із затвором на основі p-n переходу та каналом p-типу (TO-92)

КП103Л-1, Транзистор польовий із затвором на основі p-n переходу та каналом p-типу (TO-92) Транзистори КП103М-1 кремнієві дифузійно-планарні з затвором на основі p-n переходу та каналом p-типу. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором. Початковий струм стоку: 3... 12 мА; Корпус: TO-92 (КТ-26). Зображення слугують тільки для ознайомлення См. специфікації продукту КП103Л-1 Транзистори КП103Е1, КП103Ж1, КП103Ж1, КП103І1, КП103К1, КП103Л1, КЛ103М1 кремнієві дифузійно-планарні польові з затвором на основі p-n переходу та каналом pтипу. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти та постійного струму з високим вхідним опором. Транзистори випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1 г. Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92). Технічні умови: ТФ3.365.000ТУ1. Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу КП103Е1, КП103Ж1, КП103І1, КП103К1, КП103Л1, КП103М1: Тип польового транзистора Граничні значення за Т = 25 °C (Ц = 25 °C Т = 25 °C Т ОКР AC AC AC AC US МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11І C12И КШ МВт В В мА В мКС·А НО НО НО ПФ ПФ дБ ·Б КУС КП103Е1 7 10 — 0,4...1...1...1,5 <5 20 0,4...4...4 0,3... - П х 12 - 25 - 85 19 - 12 -85 КП 0,8...3 <15 20 0,8...2,6...8...1,8 <20 <8 3 -55...+85 КП103К1 38 10 — - 1,4...4 <20 20 1,0...3,0 1...5,5 <20 <8 3 -55...+85 КП103Л1 66 12 - - 2... 2... 40 40 20 1,8... 32,8 1,8 1,8... позначення електричних параметрів польових транзисторів: • Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзизора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22 — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзистори. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.