КТ313А транзистор PNP 200 МГц (0,7А 50В) (h21э: 30-120) 3W Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта КТ313А Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. Транзисторы 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7. Технические условия: аА0.336.131 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ313А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом Технические характеристики транзисторов КТ313А, КТ313Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РКmax (РК. И.max) h21Э, (h21э) UКЭ нас. IКБО f гp. (f h21) КШ СК СЭ мА мА В В В мВт В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С КТ313А p-n-p 350 700 50 60 5 300 30...120 0,5 0,5 200 - 12 35 125 -40…+85 КТ313Б p-n-p 350 700 50 60 5 300 80...300 0,5 0,5 200 - 12 35 125 -40…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.