КТ907Б ТО-60 (Au) транзистор NPN 400 МГц (3А 70В) 16W

КТ907Б Транзисторы КТ907Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 6 г. Тип корпуса: КТ-4. Технические условия: ЩБ3.365.052 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ907Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 16 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 6 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс Технические характеристики транзисторов 2Т907А, КТ907А, КТ907Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК. СР. max h21Э UКЭ нас. IКЭR IЭБО f гp. PВЫХ КУР А А В В В В Вт В мА мА ГГц Вт дБ °С °С 2Т907А n-p-n 1 3 65 (75) - 4 28 16 10…80 <0,35 <2 <0,25 0,35 >8 >2 150 -60…+125 КТ907А n-p-n 1 3 60 (70) - 4 28 16 10…80 <0,35 <3 <0,35 0,35 >8 >2 125 -40…+85 КТ907Б n-p-n 1 3 60 (70) - 4 28 16 10…80 <0,35 <3 <0,35 0,35 >6 >1,5 125 -40…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю. • UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. • РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • PВЫХ - выходная мощность транзистора. • КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. КТ907Б