Корзина
461 отзыв
LED освещение и радиоэлектронные компоненты
+380976081204
+380976081204
+380636643636
+380957540101
  • picture 1
  • picture 2
  • picture 3
  • 1
  • 2
  • 3

КТ501Ж транзистор PNP (0,5А 45В) (h21э: 20-60) 0,35W Au (ТО18)

  • В наличии
  • Код: КТ501Ж

27 грн.

Минимальная сумма заказа на сайте — 30 грн.

+380976081204
Киевстар
  • +380636643636
    Lifecell
  • +380957540101
    Vodafone
  • График работы
  • Адрес и контакты
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КТ501Ж транзистор PNP (0,5А 45В) (h21э: 20-60) 0,35W Au (ТО18)
КТ501Ж транзистор PNP (0,5А 45В) (h21э: 20-60) 0,35W Au (ТО18)В наличии
27 грн.
+380976081204
Киевстар
  • +380636643636
    Lifecell
  • +380957540101
    Vodafone
Купить

Описание

КТ501Ж транзистор PNP (0,5А 45В) (h21э: 20-60) 0,35W Au (ТО18) Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта КТ501Ж Транзисторы КТ501Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Технические условия: аА0.336.064 ТУ. Основные технические характеристики транзистора : • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом Характеристики транзисторов КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С КТ501А p-n-p 0,3 0,5 15 15 10 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501Б p-n-p 0,3 0,5 15 15 10 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501В p-n-p 0,3 0,5 15 15 10 0,35 80…240 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501Г p-n-p 0,3 0,5 30 30 10 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501Д p-n-p 0,3 0,5 30 30 10 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501Е p-n-p 0,3 0,5 30 30 10 0,35 80…240 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501Ж p-n-p 0,3 0,5 45 45 20 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501И p-n-p 0,3 0,5 45 45 20 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501К p-n-p 0,3 0,5 45 45 20 0,35 80…240 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501Л p-n-p 0,3 0,5 60 60 20 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 КТ501М p-n-p 0,3 0,5 60 60 20 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики

Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистора  P-N-P
Материал корпуса Металлостекло
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер15.0 (В)
Максимально допустимый ток коллектора0.5 (А)
Тип монтажаРучной монтаж
Дополнительные характеристики
Страна происхожденияСССР

Информация для заказа

  • Цена: 27 грн.