2П302Б кремнієві планові польові з затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу

2П302Б кремнієві планові польові з затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу (300 mW 30 В) Au 5-я приймання 2П302Б Транзистори 2П302Б кремні планові польові з закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу. Призначені для застосування в широкосмугових підсилювачах у діапазоні частот до 150 МГц, а також у перемикальних і комутувальних пристроях та інших схемах апаратури спеціального призначення. Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями. Тип приладу вказується на корпусі. Маса транзизора не більш ніж 1,5 г. Тип корпусу для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12. Тип корпусу для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7. Технічні умови: АЕЯР.432140.535 ТУ. Основні технічні характеристики транзистори 2П302Б: • Структура транзистори: з p-n-переходом і n-каналом; • Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 300 мВт; • Uзі відс — Напруга відсікання транзистори — напруга між закривом і джерелам: не більш ніж 7 В; • Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 20 В; • Uзі max — Максимальна напруга затворів-висток: 10 В; • Iс — Строк (постійний): 43 мА; • Iс нач — Початковий струм стоку: 18...43 мА; • Iс ост — залишковий струм стоку: 6 мА; • S - Крутизна характеристики: не менш ніж 7 мА/В; • С11и — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 20 ПФ; • С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 8 ПФ; • Rcі відказ — Опір стік-виток у відкритому стані: не більш ніж 150 Ом; • tвмик — Час увімкнення транзизора: не більш ніж 4 нс; • tвимк — Час вимкнення транзистора: не більш ніж 5 нс Характеристики польових транзисторів із закривом на основі p-n переходу й каналом n-типу 2П302А, 2П302Б, 2П302В, 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: Тип польового транзистара Р МАКС f МАКСельні значення параметрів за Т = 25 °C Значення параметрів за Т = 25 °C Т ОКР UСІ МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС МАКС UЗІ ВІДСЯ g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11І C12И КШ МВт МГц В В В мА В мксам нА·П 125 2Б ПФ ПФ ДБ °C 2П302 150 20 10 245 - <105 3242 <8208... 300 150 20 20 10 43 <7 - <10 >7 18…43 <20 <8 - -60…+125 2П302В 300 150 20 20 12 - <10 - <10 - >33 <20 <8 - -60…+125 2П302А1 300 150 20 20 10 24 <5 - <10 >5 3…24 <20 <8 - -60…+125 2П302Б1 300 150 20 20 10 43 <7 - <10 >7 18…43 <20 <8 - -60…+125 2П302В1 300 150 20 12 - <10 - <10 ->33 <20 <8 -60...+125 Условні позначення електричних параметрів польових транзисторів: • Р МАКС - максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори. • f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзизора. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзистора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22І — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзистори. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі у разі короткого замикання змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.