2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа

2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа (300 mW 30В) Au 5-я приемка 2П302Б Транзисторы 2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,5 г. Тип корпуса для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12. Тип корпуса для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7. Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2П302Б: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 7 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 43 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 18...43 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 7 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ; • Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 150 Ом; • tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс; • tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс Характеристики полевых транзисторов с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа 2П302А, 2П302Б, 2П302В, 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: Тип полевого транзистора Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС g22И IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И КШ мВт МГц В В В мА В мкСм нА мА/В мА пФ пФ дБ °С 2П302А 300 150 20 20 10 24 <5 - <10 >5 3…24 <20 <8 <2,75 -60…+125 2П302Б 300 150 20 20 10 43 <7 - <10 >7 18…43 <20 <8 - -60…+125 2П302В 300 150 20 20 12 - <10 - <10 - >33 <20 <8 - -60…+125 2П302А1 300 150 20 20 10 24 <5 - <10 >5 3…24 <20 <8 - -60…+125 2П302Б1 300 150 20 20 10 43 <7 - <10 >7 18…43 <20 <8 - -60…+125 2П302В1 300 150 20 20 12 - <10 - <10 - >33 <20 <8 - -60…+125 Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов: • Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора. • f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора. • UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток. • UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток. • UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток. • IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора. • UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. • g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой. • S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. • IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения. • C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. • C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. • КШ - коэффициент шума транзистора. • Т ОКР - температура окружающей среды.