КТ827А транзистор кремниевый NPN (30А 100В) 125W (ТО-3)

КТ827А транзистор NPN (30А 100В) 125W (ТО-3) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ827А n-p-n 100 100 20000 (40000) (125) 500-18000 3000 4 <2 КТ827Б 80 80 20000 (40000) (125) 750-18000 3000 4 <2 КТ827В 60 60 20000 (40000) (125) 750-18000 3000 4 <2 Корпус: ТО-3 Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер