КТ825Г транзистор кремниевый PNP (30А 90В) 125W (ТО-3)

КТ825Г транзистор PNP (30А 90В) 125W (ТО-3) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В 2Т825А p-n-p 100 100 20000 (40000) (160) 500-18000 ≤1000 ≥4 <2 2Т825Б 80 80 20000 (40000) (160) 750-18000 ≤1000 ≥4 <2 2Т825В 60 60 20000 (40000) (160) 750-18000 ≤1000 ≥4 <2 КТ825Г 90 90 20000 (30000) (125) 750-18000 ≤1000 ≥4 <2 КТ825Д 60 60 20000 (30000) (125) 750-18000 ≤1000 ≥4 <2 КТ825Е 30 30 20000 (30000) (125) 750-18000 ≤1000 ≥4 <2 Чертеж корпуса: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер