КТ818ГМ транзистор кремниевый PNP (20А 90В) 100W (ТО3)

КТ818ГМ транзистор PNP (20А 90В) 100W (ТО3) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ818АМ p-n-p 40 40 15000 (20000) 2(100) 15-225 1000 3 <2 КТ818БМ 50 50 15000 (20000) 2(100) 20-225 1000 3 <2 КТ818ВМ 70 70 15000 (20000) 2(100) 15-225 1000 3 <2 КТ818ГМ 90 90 15000 (20000) 2(100) 12-225 1000 3 <2 2Т818А 100 100 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 2Т818Б 80 80 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 2Т818В 60 60 15000 (20000) 3(100) 20-225 1000 3 <1 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер