КТ817Г транзистор NPN (3А 100В) 25W (ТО126)

КТ817Г транзистор NPN (3А 100В) 25W (ТО126) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ817А n-p-n 40 40 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <0.6 КТ817Б 45 45 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <0.6 КТ817Б2 45 45 3000 (6000) 1(25) 100 100 3 <0.12 КТ817В 60 60 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <0.6 КТ817Г 100 90 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <0.6 КТ817Г2 100 90 3000 (6000) 1(25) 100 100 3 <0.12 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер