КТ817Г транзистор NPN (3 А 100 В) 25 W (ТО126)

КТ817Г транзистор NPN (3 А 100 В) 25 W (ТО126) Наїмен. тип Uкбо (і), В Uкео (і), В Iкmax (і), мА Pкmax (т), Вт h21е Iкбо, мкА fг., МГц Uкen, В КТ817А n-p-n 40 3000 (6000) 25275 100 <0. К817 4500 (6К817 4500) 3000 (6000) 1(25) 100 100 3 <0.12 КТ817В 60 60 3000 (6000) 1(25) 25-275 100 3 <0.6 КТ817Г 100 90 3000 (6000) 1 (25) 25-275 100 3 <0.6 КТ817Г2 100 90 3000 (6000) 1 (25) 100 3 <0.12 Корпус: Uкбо — Максимально допустиме напруження колектор-бакбої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база Uкео — Максимально допустима напруга колектор-емітер Uкеої — Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер Iкmax — Максимально допустимий постійний струм колектора Iкmax і - Максимально допустимий імпульсний струм колектора Pкmax — Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення Pкmax, оскільки максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням h21e — Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора в схемі із загальним емітером Iкбо — зворотний струм колектора fгром — гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним імітером Uкen — напруга насичення колектор-еміттер