КТ815Г транзистор NPN (3А 100В) 10W (ТО126)

КТ815Г транзистор NPN (3А 100В) 10W (ТО126) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ815А n-p-n 40 30 1500(3000) 1(10) 40-275 50 3 <0.6 КТ815Б 50 45 1500(3000) 1(10) 40-275 50 3 <0.6 КТ815В 70 65 1500(3000) 1(10) 40-275 50 3 <0.6 КТ815Г 100 85 1500(3000) 1(10) 30-275 50 3 <0.6 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер