КТ812А транзистор кремниевый NPN (12А 700В) 50W

КТ812А транзистор NPN (12А 700В) 50W Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ812Б n-p-n 500 500 8000 (12000) (50) 4 5000 3 <2.5 КТ812В 300 300 8000 (12000) (50) 10 5000 3 <2.5 2Т812А 700 700 10000 (17000) (50) 5 5000 3 <2.5 2Т812Б 500 500 10000 (17000) (50) 5 5000 3 <2.5 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер