КТ602Бм транзистор NPN (0,5А 120В) 2,8W (ТО126)

КТ602Бм транзистор NPN (0,5А 120В) 2,8W (ТО126) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб КТ602АМ n-p-n 120 100 75(500) 0.85(2.8) 20-80 70 150 - КТ602БМ 120 100 75(500) 0.85(2.8) 50-200 70 150 - Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Кш - коэффициент шума биполярного транзистора КТ602БМ Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. Транзисторы: - 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, - 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ ― не более 1 г. Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max ― Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; • Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк ― Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс