Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 26.05)

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Корзина

КТ809А транзистор кремниевый NPN (5А 400В) 40W

65,70 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Нет в наличии
  • Код: КТ809А
КТ809А транзистор кремниевый NPN (5А 400В) 40W
КТ809А транзистор кремниевый NPN (5А 400В) 40WНет в наличии
65,70 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
КТ809А транзистор NPN (5А 400В) 40W КТ809А Транзисторы КТ809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г. Масса накидного фланца не более 12 г. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Технические условия: аА0.365.003 ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ809А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В КТ809А n-p-n 400 400 3000 (5000) (40) 15-100 3000 5.1 <1.5 Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Характеристики
Основные
Тип монтажаРучной монтаж
Тип биполярного транзистораN-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер400 В
Максимально допустимый ток коллектора5 А
Максимальная мощность рассеивания40 Вт
Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаМеталлокерамика
Пользовательские характеристики
Техническое описаниескачать PDF в спецификации
NPNPOWER TRANSISTOR
Информация для заказа
  • Цена: 65,70 ₴