КТ3102Вм транзистор NPN (200мА 30В) (h21э:200-500) 0,2W (ТО92)

КТ3102Вм транзистор NPN (200мА 30В) (h21э:200-500) 0,2W (ТО92) Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб КТ3102АМ n-p-n 50 50 100(200) 0.25 100-200 0.05 150 10 КТ3102БМ 50 50 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 10 КТ3102ВМ 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 10 КТ3102ГМ 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 10 КТ3102ДМ 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 4 КТ3102ЕМ 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 4 КТ3102ЖМ 20 20 100(200) 0.25 100-250 0.05 150 - КТ3102ИМ 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 - КТ3102КМ 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 - Корпус: Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо - Обратный ток коллектора fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Кш - коэффициент шума биполярного транзистора Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб КТ3102А n-p-n 50 50 100(200) 0.25 100-200 0.05 150 10 КТ3102Б 50 50 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 10 КТ3102В 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 10 КТ3102Г 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 10 КТ3102Д 30 30 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 4 КТ3102Е 20 20 100(200) 0.25 400-1000 0.015 150 4 КТ3102Ж 20 20 100(200) 0.25 100-250 0.05 150 - КТ3102И 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.05 150 - КТ3102К 20 20 100(200) 0.25 200-500 0.015 150 - Корпус: