К159НТ1А (AU) матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)

К159НТ1А матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів) Мікросхеми являють собою матрицю з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів). Корпус типу 301.8-2, маса не більш ніж 1,3 гр. Корпус ІМС К159НТ1А-Е Електрична схема 1,8 — вільні; 2 — колектор транзизора VT1; 3 — база транзизора VT1; 4 — еміттер транзизора VT1; 5 — еміттер транзизора VT2; 6 — база транзизора VT2; 7 — колектор транзизора VT2; Електричні параметри 1 Різність напруг еміттер-база транзисторів 159НТ1А-В 159НТ1Г-Е не більш ніж 3 мВ не більш ніж 15 мВ 2 Пряме падіння напруги емітер-база за Ie=1 мА 0,55 В 3 Зворотний струм колектор-база не більш ніж 200 НО 4 Зворотний струм еміттер-база не більш ніж 500 нА 5 Ток витоку між транзиссторами VT1 і VT2 за U = 20 В не більш ніж 20 нА 6 Коеффіцієнт посилення за струмом за UKB=5 В, IE=1 мА 159НТ1А,Г 159НТ1Б, Д 159НТ1ВЕ 20...80 60...180 більш ніж 7 мм. ПФ 8 Ємність колектора на частоті 10 мГц не більш ніж 4 пФ Гранично допустимі режими експлуатації 1 Напруга колектор-база 20 В 2 Напруга евіттер-база 4 В 3 Напруга між транзисторів 20 В 4 Строк колектора постійний 10 мА 5 Ток колектора імпульсний ti = 30 мкс 40 мА 6 Розсіювана потужність 50 мВт Завубільні аналоги 2N4042-2N4045