К159НТ1А (AU) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

К159НТ1А матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр. Корпус ИМС К159НТ1А-Е Электрическая схема 1,8 ― свободные; 2 ― коллектор транзистора VT1; 3 ― база транзистора VT1; 4 ― эмиттер транзистора VT1; 5 ― эмиттер транзистора VT2; 6 ― база транзистора VT2; 7 ― коллектор транзистора VT2; Электрические параметры 1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов 159НТ1А-В 159НТ1Г-Е не более 3 мВ не более 15 мВ 2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В 3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА 4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА 5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА 6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА 159НТ1А,Г 159НТ1Б,Д 159НТ1В,Е 20...80 60...180 более 80 7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ 8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ Предельно допустимые режимы эксплуатации 1 Напряжение коллектор-база 20 В 2 Напряжение эмиттер-база 4 В 3 Напряжение между транзисторами 20 В 4 Ток коллектора постоянный 10 мА 5 Ток коллектора импульсный tи=30 мкс 40 мА 6 Рассеиваемая мощность 50 мВт Зарубежные аналоги 2N4042-2N4045