2Т632А (Ni) транзистор PNP (IК. И. max=0.35А) (UКЭ0 max=120В) (ТО5)

2Т632А (Ni) транзистор PNP (IК. И. max=0.35А) (UКЭ0 max=120В) (ТО5) 2Т632А Транзисторы 2Т632А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях. Транзистор 2Т632А, КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,5 г, Тип корпуса: KT-2. Технические условия: аА0.339.222 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т632А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс Технические характеристики транзисторов 2Т632А, КТ632Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 2Т632А p-n-p 0,1 0,35 120 120 5 0,5 50…450 <0,5 <1 <100 <10 >200 <8 <50 150 -60…+125 КТ632Б p-n-p 0,1 0,35 120 120 5 0,5 50…450 <0,8 <1 <100 <10 >200 <8 <50 150 -40…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.