2Т633А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...140) (UКБ0 max.=30в) (ТО5) 5-я приемка

2Т633А Транзисторы 2Т633А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей базой. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 3 г. Тип корпуса: КТ-2-7. Технические условия: аА0.339.007 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т633А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мкА (30В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 140; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 20 МГц Технические характеристики транзисторов 2Т633А, КТ633Б: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 2Т633А n-p-n 0,2 0,5 15 30 4,5 0,36 (1,2) 40…140 <0,5 <3 <3 <3 >500 <4,5 - 150 -60…+125 КТ633Б n-p-n 0,2 0,5 15 30 4,5 0,36 (1,2) 20…160 <0,6 <10 <10 <3 >500 <4,5 - 150 -45…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.