2Т653А (Au) транзистор NPN переключательный (h21э=40...150) (UКБ0 max.=130в) (ТО5) 5-я приемка

2Т653А Транзисторы 2Т653А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях. Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Технические условия: аА0.339.307 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т653А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...150; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом Технические характеристики транзисторов 2Т653А, 2Т653Б, 2Т653А-5, 2Т653Б-5: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 2Т653А n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 (5) 40…150 <0,5 - - <10 >50 <20 <40 150 -60…+125 2Т653Б n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 (5) 80…250 <0,5 - - <10 >50 <20 <40 150 -60…+125 2Т653А-5 n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 40…150 <0,5 - - <10! >50 <20 <40 150 -60…+125 2Т653Б-5 n-p-n 1 2 130 130 7 0,8 80…250 <0,5 - - <10 >50 <20 <40 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.