
2Т603Б транзистор NPN (600mA 30В) Au (ТО5)
139 ₴
- В наявності
- Код: 2Т603Б
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Т603Б
Транзистори 2Т603Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n.
Призначені для застосування в імпульсних і перемикаючих високочастотних пристроях.
Випускаються в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора не більше 1,75 р.
Тип корпусу: КТЮ-3-6.
Технічні умови: И93.365.003 ТУ.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т603Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк max - Постійна розсіює потужність колектора: 0,5 Вт;
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: не менше 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора і заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 3 В;
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА;
• Ік max - Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 3 мкА;
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: 20... 80;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 15 пФ;
Транзистори 2Т603Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n.
Призначені для застосування в імпульсних і перемикаючих високочастотних пристроях.
Випускаються в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора не більше 1,75 р.
Тип корпусу: КТЮ-3-6.
Технічні умови: И93.365.003 ТУ.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т603Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк max - Постійна розсіює потужність колектора: 0,5 Вт;
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: не менше 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора і заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 3 В;
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА;
• Ік max - Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 3 мкА;
• һ21э - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: 20... 80;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 15 пФ;

Вихідний напівпровідниковий матеріал, на основі якого виготовлений транзистор: кремній (Si)
Структура напівпровідникового переходу: npn
Технічні характеристики транзисторів 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И:
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів: • IДо max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора. • IК. І. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора. • UKR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер. • UКЕ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю. • UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю. • UЕБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю. • РДо max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора. • РК. Т. max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора з тепловідводом. • һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора. • UКЕ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора. • IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера. • IЕБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора. • IКЕR - зворотний струм колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер. • f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму. • ЗДо - ємність колекторного переходу. • ЗЕ - ємність колекторного переходу. • ТП max — максимально допустима температура переходу. • Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Польща |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 60 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.4 А |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Технічний опис: | завантажити PDF в специфікації |
Інформація для замовлення
- Ціна: 139 ₴

