КП303І транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

КП303І транзистор польовий N-FET (200 mW 30 В) Au (ТО72) Найменування КП303І ТО-72 Транзистор Функціональний тип польового Типорозмір корпусу вітчизняний КТ-1-12 Структура N-FET Дата випуску від 1989г Торгова марка АО Елекс, Александрів Країна походження СРСР ТУ Ц20.336.601 ТУ Краєвид приймання "1" Матеріал корпусу металостклейний Тип виведення гнучкий Покриття виводів або контактів Au Робоче положення будь-яке Фактичне маркування 3ІС6 Наявність паспорта — етикетки паспорта Тип паковання картонна коробка Доупаковка картонна пластина Стан паковання заводська Кратність відвантаження 1 Габаритні розміри L*W*H 5,8х19 Висота корпусу 5,3 mm Довжина виводів 13,7 mm Маса виробу, г. 0,34 Вміст золота в 1 шт., gr 0,00903 Англійська транскрипція Transistor KP303I Напруга стік-висток 25 V Напруга затвора 30 V Строк 20 mA Максимальна потужність розсіювання 200 mW Танзістель КП303І кремнієвий епітаксіально-планарний польовий із затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу, напруга відсічення транзистара — напруга між закривом і джерелам: 0,5... 2 В. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти з високим вхідним опором. Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303ШІ: Тип польового транзизора Р МАКС f МАКС Грани значення параметрів за Т=25 °C МАКС UЗС МАКС UЗІ МАКС AC МАКС UЗИ ВІДС g22І IЗ УТ S IС НАЧ C11І C12І КШ МВт МГц В В В мА В мксам НОА/В мА/В мА пФ ПФ дБ ·С КП303А 200 — 25 30 30 20 0,5... <40+3" 25 30 30 20 1…4 - <1 2…5 1,5…5 <6 <2 - -40…+85 КП303Г 200 - 25 30 30 20 <8 - <0,1 3…7 3…12 <6 <2 - -40…+85 КП303Д 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >2,6 3…9 <6 <2 <4 -40…+85 КП303Е 200 - 25 30 30 20 <8 - <1 >4 5…20 <6 <2 <4 -40…+85 КП303Ж 200 - 25 30 30 20 0,3…3 - <5 1...4 0,3...3 <6 <2 -40...+85 КП303І 200 — 25 30 30 20 0,5...2 — <5 2...6 1,5...5 <6 <2 -40...+85 Условні позначення електричних параметрів польових транзисторів: • Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистера. • f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзизора. • UСІ МАКС — максимально допустима напруга стік-висток. • UЗС МАКС — максимально допустима напруга затвор-сток. • UЗИ МАКС — максимально допустима напруга затворів-висток. • IC МАКС — максимально допустимий струм стоку польового транзизора. • UЗИ ОТС — напруга відсікання польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення. • g22 — активний складник вихідної провідності польового транзизора в схемі із загальним споконвом. • IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою. • S — крутина характеристики польового транзистори. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінного струму на виході транзистори в схемі із загальним джерелом. • IC НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення. • C11І — вхідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним джерелом. • C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом. • КШ — коефіцієнт шуму транзизора. • Т ОКР — температура довкілля.