Корзина
461 отзыв
LED освещение и радиоэлектронные компоненты
+380976081204
+380976081204
+380636643636
+380957540101
  • picture 1
  • picture 2
  • picture 3
  • 1
  • 2
  • 3

ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W

  • В наличии
  • Код: ГТ806Д

47,70 грн.

+380976081204
Киевстар
  • +380636643636
    Lifecell
  • +380957540101
    Vodafone
  • График работы
  • Адрес и контакты
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W
ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30WВ наличии
47,70 грн.
+380976081204
Киевстар
  • +380636643636
    Lifecell
  • +380957540101
    Vodafone
Купить

Описание

ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W Наименование ГТ806Д Транзистор Функциональный тип биполярный Структура n-p-n Дата выпуска 01.01.1988 Торговая марка ЗАО Группа-Кремний, Брянск Страна происхождения СССР ТУ 3.365.021 ТУ Вид приемки "1" Материал корпуса металл со стеклянными изоляторами Тип вывода жесткий Климатическое исполнение УХЛ2 Фактическая маркировка ГТ806Д Вид упаковки картонная коробка Состояние упаковки заводская Кратность отгрузки 1 Габаритные размеры L*W*H 29х29х25,6 Высота корпуса 12,2 mm Длина выводов 13,4 mm Масса изделия, гр. 22 Содержание золота в 1шт, gr 0,0001168 Содержание серебра в 1шт, gr 0,090055 Английская транскрипция GT806A Макс. допустимое напряжение коллектор-база 140 V Макс. допустимый постоянный ток коллектора 15 A Максимальная мощность рассеивания 30 W Максимальный обратный ток, Iобр 8 µA Статический коэффициент передачи тока 10-100 Технические характеристики транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭ max UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО IКЭ f гp. СК СЭ А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С ГТ806А p-n-p 15 - 75 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55 ГТ806Б p-n-p 15 - 100 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55 ГТ806В p-n-p 15 - 120 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55 ГТ806Г p-n-p 15 - 50 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55 ГТ806Д p-n-p 15 - 140 - 1,5 2 (30) 10..100 <0,6 - <8 <15 >10 - - 85 -55…+55 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды. Транзистор ГТ806Д биполярный, германиевый диффузионно-сплавной структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.

Характеристики

Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистора  N-P-N
ИсполнениеДискретное
Материал корпуса Металлокерамика
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер140.0 (В)
Максимально допустимый ток коллектора15.0 (А)
Максимальная мощность рассеивания30.0 (Вт)
Дополнительные характеристики
NPNPOWER TRANSISTOR
Страна происхожденияСССР

Информация для заказа

  • Цена: 47,70 грн.