КТ817В транзистор NPN (3 А 60 В) 25 W (ТО126)
9,70 ₴
- В наявності
- Код: КТ817В
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КТ817В
Транзистори КТ817В кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n посилені.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах і імпульсних пристроях.
Використовуються для роботи в радіоелектронній апаратурі загального призначення.
Випускаються в пластмасовому корпусі з твердими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Тип корпусу: КТ-27-2 (TO-126).
Маса транзизора не більш ніж 1,0 г.
Вид кліматичного виконання: «УХЛ2» за ГОСТом 15150-69.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
- приймання «1» АА0.336.187ТУ/02.
Мінімальний термін зберігання не менш ніж 12 років від дня виготовлення.
Імпортний аналог: BD177, BD221, BD617, BD935, 2N5191, 2N6122, 2SD292, 2SD880, BD235, BD239, BD439.
Основні технічні характеристики транзистори КТ817В:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 25 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 3 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 60 В (1 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 0,1 мА (60 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 25;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 60 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,6 Ом
Транзистори КТ817В кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n посилені.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах і імпульсних пристроях.
Використовуються для роботи в радіоелектронній апаратурі загального призначення.
Випускаються в пластмасовому корпусі з твердими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Тип корпусу: КТ-27-2 (TO-126).
Маса транзизора не більш ніж 1,0 г.
Вид кліматичного виконання: «УХЛ2» за ГОСТом 15150-69.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
- приймання «1» АА0.336.187ТУ/02.
Мінімальний термін зберігання не менш ніж 12 років від дня виготовлення.
Імпортний аналог: BD177, BD221, BD617, BD935, 2N5191, 2N6122, 2SD292, 2SD880, BD235, BD239, BD439.
Основні технічні характеристики транзистори КТ817В:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 25 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 3 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 60 В (1 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 0,1 мА (60 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним емітером: понад 25;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 60 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,6 Ом
Технічні характеристики транзисторів КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г:
Тип транзистори |
Структура | Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C | Значення параметрів за Тп = 25 °C | TП max |
Т max |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЕR max (UКЕ0 max) |
UКБ0 max | UЕБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЕ нас. |
IКБО | IЕБО | f гp. | КШ | ЗК | ЗЕ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
КТ817А | n-p-n | 3 | 6 | 40 | - | 5 | 1 (25) | >25 | <0,6 | 100 | - | >3 | - | <60 | <115 | 150 | -40…+100 |
КТ817Б | n-p-n | 3 | 6 | 45 | - | 5 | 1 (25) | >25 | <0,6 | 100 | - | >3 | - | <60 | <115 | 150 | -40…+100 |
КТ817В | n-p-n | 3 | 6 | 60 | - | 5 | 1 (25) | >25 | <0,6 | 100 | - | >3 | - | <60 | <115 | 150 | -40…+100 |
КТ817Г | n-p-n | 3 | 6 | 100 | - | 5 | 1 (25) | >25 | <0,6 | 100 | - | >3 | - | <60 | <115 | 150 | -40…+100 |
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЕR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЕ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЕБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЕ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЕБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• ЗК - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max — максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.
Характеристики
Основні | |
---|---|
Тип транзистора | Біполярний |
Тип біполярного транзистора | N-P-N |
Матеріал корпусу | Пластик |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 60 В |
Максимально допустимий струм колектора | 3 А |
Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
Користувальницькі характеристики | |
Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
PNP | POWER TRANSISTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 9,70 ₴