КТ837Х PNP транзистор (7,5 А 180В) (һ21Э >15) 30W (ТО220)
29,60 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- Немає в наявності
- Код: КТ837Х
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ837Х
Транзистори КТ837Х кремнієві епітаксиально-дифузійні структури p-n-p перемикальні.
Призначені для застосування в підсилювачах і перемикаючих пристроїв.
Корпус пластмасовий з жорсткими висновками.
Маса транзистора не більше 2,5 р.
Тип корпусу: КТ-28 (ТО-220).
Технічні умови: аА0.336.403 ТУ.
Характеристики транзисторів КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:
| Тип транзистора |
Структура | Граничні значення параметрів при Тп=25°С | Значення параметрів при Тп=25°С | ТП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ІК max |
ІК. В. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
һ21Э | UКЭ нас. |
ІКБО | ІЭБО | IКЭR | f гр. | СК | СЕ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °З | °З | |||
| КТ837А | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 10...40 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Б | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 20...80 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837В | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 15 | 1 (30) | 50...150 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Г | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 10...40 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Д | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 20...80 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Е | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 15 | 1 (30) | 50...150 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Ж | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 10...40 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837И | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 20...80 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837К | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 15 | 1 (30) | 50...150 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Л | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 10...40 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837М | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 20...80 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Н | p-n-p | 7,5 | - | 70 | 80 | 5 | 1 (30) | 50...150 | <2,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837П | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 10...40 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Р | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 20...80 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837С | p-n-p | 7,5 | - | 55 | 60 | 5 | 1 (30) | 50...150 | <0,9 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Т | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 10...40 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837У | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 20...80 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Ф | p-n-p | 7,5 | - | 40 | 45 | 5 | 1 (30) | 50...150 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
| КТ837Х | p-n-p | 7,5 | - | 180 | 180 | 5 | 1 (30) | >15 | <0,5 | <0,15 | <0,3 | <10 | >1 | - | - | 125 | -60...+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора з тепловідводом.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• IКЭR - зворотний струм колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 180 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 7.5 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувацькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 29,60 ₴
