FGL60N100BNTD биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-C 1000V 60A TO-247 463W

301,20 ₴

Відправка з 30 березня 2026

FGL60N100BNTD биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-C 1000V 60A TO-247 463WПід замовлення

301,20 ₴

+380 (97) 608-12-04

Kyivstar

+380 (97) 608-12-04

Kyivstar

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

FGL60N100BNTD биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 1000V Warp2 150kHz 60A TO-264 180W

Производитель:	Fairchild Semiconductor
Категория продукта:	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS:	Подробности
Конфигурация:	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	+/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	60 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	+/- 500 nA
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Упаковка / блок:	TO-264-3
Упаковка:	Tube
Торговая марка:	Fairchild Semiconductor
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	60 A
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Вид монтажа:	Through Hole
Pd ― рассеивание мощности:	180 W
Серия:	FGL60N100BNTD
Размер фабричной упаковки:	375
Другие названия товара №:	FGL60N100BNTD_NL
Вес изделия:	6.756 g

Характеристики

Основні
Виробник	Fairchild Semiconductor
Країна виробник	Китай
Максимальна потужність розсіювання	180 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік	1000 В
Максимально допустимий струм стоку	60 А
Матеріал корпусу	Металокераміка
Тип монтажу	Вставний
Тип транзистора	Польовий
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації

Інформація для замовлення