HGTG30N60A4 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) N-C 600V 30A TO-247 463W
248,90 ₴
- Немає в наявності
- Код: HGTG30N60A4
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
IRGP50B60PD1PBF биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp2 150kHz 50A TO-247 390W
Производитель: | Fairchild Semiconductor | |
Категория продукта: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) | |
RoHS: | Подробности | |
Конфигурация: | Single | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 600 V | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.8 V | |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | +/- 20 V | |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 75 A | |
Ток утечки затвор-эмиттер: | +/- 250 nA | |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
Упаковка / блок: | TO-247-3 | |
Упаковка: | Tube | |
Торговая марка: | Fairchild Semiconductor | |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 75 A | |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
Вид монтажа: | Through Hole | |
Pd ― рассеивание мощности: | 463 W | |
Серия: | HGTG30N60 | |
Размер фабричной упаковки: | 30 | |
Другие названия товара №: | HGTG30N60A4_NL | |
Вес изделия: | 6,390 g |
Характеристики
Основні | |
---|---|
Виробник | Fairchild Semiconductor |
Країна виробник | Китай |
Максимальна потужність розсіювання | 463 Вт |
Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
Матеріал корпусу | Металокераміка |
Тип монтажу | Вставний |
Тип транзистора | Польовий |
Користувацькі характеристики | |
Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
Інформація для замовлення
- Ціна: 248,90 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 25шт.