IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74W
55,60 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: IRFBE30
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74WВ наявності
55,60 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 125W
N-CHANNEL 800V ― 3.0 OHM ― 4.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET
| Производитель: | Vishay | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| RoHS: | Нет | |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors | |
| Id ― непрерывный ток утечки: | 4.1 A | |
| Vds ― напряжение пробоя сток-исток: | 600 V | |
| Rds Вкл ― сопротивление сток-исток: | 3.0 Ohms | |
| Полярность транзистора: | N-Channel | |
| Vds ― напряжение пробоя затвор-исток: | 20 V | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Pd ― рассеивание мощности: | 125 W | |
| Вид монтажа: | Through Hole | |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 | |
| Упаковка: | Tube | |
| Канальный режим: | Enhancement | |
| Конфигурация: | Single | |
| Время спада: | 30 ns | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Время нарастания: | 33 ns | |
| Размер фабричной упаковки: | 50 | |
| Типичное время задержки выключения: | 82 ns |
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.1 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 800V 4.1 A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 55,60 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 50шт