IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W
54 ₴
- В наявності
- Код: IRF 9630
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
|
Product Attribute
Attribute Value
Search Similar
Product Category:
MOSFET
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Package/Case:
TO-220-3
Number of Channels:
1 Channel
Transistor Polarity:
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
200 V
Id - Continuous Drain Current:
6.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:
800 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:
20 V
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
Pd - Power Dissipation:
75 W
Configuration:
Single
Channel Mode:
Enhancement
Height:
16.3 mm
Length:
10.67 mm
Series:
Transistor Type:
1 P-Channel
Width:
4.7 mm
Brand:
ON Semiconductor / Fairchild
Fall Time:
40 ns
Product Type:
MOSFET
Rise Time:
50 ns
Subcategory:
MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:
50 ns
Typical Turn-On Delay Time:
30 ns
Unit Weight:
2,565 g
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Країна виробник | Китай |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип польового транзистора | З керуючим p-n переходом |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувацькі характеристики | |
| Data sheet: | завантажити PDF в специфікації |
| MOSFET N-CH | 200V 11A |
| виготовлення | Дискретне |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Ціна: 54 ₴
- Спосіб упаковки: польоту 50pcs
