Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
1040 відгуків
+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

2N2857 (Motorola) аналог 2Т399А транзистор PNP 400 МГц (0,4А 15В) (h21э: 170-200) 3W Au (ТО18)

62 ₴

  • В наявності
  • Код: 2N2857
2N2857 (Motorola) аналог 2Т399А транзистор PNP 400 МГц (0,4А 15В) (h21э: 170-200) 3W Au (ТО18)
2N2857 (Motorola) аналог 2Т399А транзистор PNP 400 МГц (0,4А 15В) (h21э: 170-200) 3W Au (ТО18)В наявності
62 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

2N2857 (2Т399А) транзистор PNP 400 МГц (0,4А 15В) (h21э: 40-170) 3W Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

КТ399А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. 
Транзисторы 2Т399А, КТ399А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: аА0.336.257 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ399А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,7 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс
 

Технические характеристики транзисторов 2Т399А, КТ399А:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт   В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
2Т399А n-p-n 20 40 15 15 3 150 40…170 - 0,5 1 >1800 2 1,7 3 150 -60…+125
КТ399А n-p-n 20 40 15 15 3 150 40…170 - 0,5 1 >1800 2 1,7 3 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

 

Характеристики
Основні
ВиробникMotorola
Максимально допустима напруга колектор-емітер15 В
Максимально допустимий струм колектора0.5 А
Матеріал корпусуМеталоскло
Тип біполярного транзистораP-N-P
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Інформація для замовлення
  • Ціна: 62 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner