КТ501М транзистор PNP (0,5А 60В) (h21э: 40-120) 0,35W Au (ТО18)
47,90 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- В наявності
- Код: КТ501М
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ501М транзистор PNP (0,5А 60В) (h21э: 40-120) 0,35W Au (ТО18)
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
КТ501М
Транзисторы КТ501М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: аА0.336.064 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ501М:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом
Характеристики транзисторов КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ501А | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 15 | 15 | 10 | 0,35 | 20…60 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501Б | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 15 | 15 | 10 | 0,35 | 40…120 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501В | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 15 | 15 | 10 | 0,35 | 80…240 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501Г | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 30 | 30 | 10 | 0,35 | 20…60 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501Д | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 30 | 30 | 10 | 0,35 | 40…120 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501Е | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 30 | 30 | 10 | 0,35 | 80…240 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501Ж | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 45 | 45 | 20 | 0,35 | 20…60 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501И | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 45 | 45 | 20 | 0,35 | 40…120 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501К | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 45 | 45 | 20 | 0,35 | 80…240 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501Л | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 60 | 60 | 20 | 0,35 | 20…60 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
| КТ501М | p-n-p | 0,3 | 0,5 | 60 | 60 | 20 | 0,35 | 40…120 | <0,4 | - | <1 | <1 | >5 | <50 | <100 | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 15 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.5 А |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувацькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 47,90 ₴
