2Т316А NPN транзистор 600МГц (0,05 А. 10В) (һ21э: 20-60) Au (ТО18) (військове приймання по якості)
63 ₴
- Під замовлення
- Код: 2Т316А
Відправка з 24 листопада 2025
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
2Т316А NPN транзистор 600МГц (0,05 А. 10В) (һ21э: 20-60) Au (ТО18)
2Т316А
кремнієві Транзистори епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) і перемикаючих пристроїв (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
Випускаються:
- в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д);
- у вигляді кристалів з контактними майданчиками без кристаллодержателя і без висновків (2Т316А-5).
Тип приладів 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д вказується на корпусі, тип 2Т316А-5 вказується на етикетці.
Маса транзистора
- не більш 0,5 г в пластмасовому корпусі,
- не більше 0,002 г в кристалі.
Тип корпусу: КТ-1-7.
Технічні умови: СБ0.336.019 ТУ.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т316А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постійна розсіює потужність колектора: 150 мВт;
• fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми з спільним емітером: не менше 600 МГц;
• Uкэr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора і заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 4;
• Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА;
• Ікбо - Зворотний струм колектора - струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера: не більше 0,5 мкА;
• һ21Э - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми з спільним емітером у режимі великого сигналу: 20...60;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 3 пФ;
• Rкэ нас - Опір насичення між колектором і емітером: не більше 40 Ом
Технічні характеристики транзисторів 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, 2Т316А5:
| Тип транзистора |
Структура | Граничні значення параметрів при Тп=25°С | Значення параметрів при Тп=25°С | TП max |
Т max |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IДо max |
IК. І. max |
UKR max | UКБ0 max | UЕБ0 max | РДо max | һ21э | UКЕ нас. |
IКБО | f гр. | ДОШ | ЗДО | ЗЕ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °З | °З | |||
| 2Т316А | n-p-n | 50 | 50 | 10 | 10 | 4 | 150 | 20...60 | 0,4 | 0,5 | 600 | - | 3 | 2,5 | 150 | -60...+125 |
| 2Т316Б | n-p-n | 50 | 50 | 10 | 10 | 4 | 150 | 40...120 | 0,4 | 0,5 | 800 | - | 3 | 2,5 | 150 | -60...+125 |
| 2Т316В | n-p-n | 50 | 50 | 10 | 10 | 4 | 150 | 40...120 | 0,4 | 0,5 | 800 | - | 3 | 2,5 | 150 | -60...+125 |
| 2Т316Г | n-p-n | 50 | 50 | 10 | 10 | 4 | 150 | 20...100 | 0,4 | 0,5 | 600 | - | 3 | 2,5 | 150 | -60...+125 |
| 2Т316Д | n-p-n | 50 | 50 | 10 | 10 | 4 | 150 | 60...300 | 0,4 | 0,5 | 800 | - | 3 | 2,5 | 150 | -60...+125 |
| 2Т316А5 | n-p-n | 50 | 50 | 10 | 10 | 4 | 150 | 20...60 | 0,4 | 0,5 | 600 | - | 3 | 2,5 | 150 | -60...+125 |
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IДо max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• IК. І. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UKR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЕ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЕБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• ДоШ - коефіцієнт шуму транзистора.
• ЗДо - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 10 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.05 А |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Тип біполярного транзистора | N-P-N |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
| Країна походження | СРСР |
- Ціна: 63 ₴