2Т306Г транзистор кремнієві епітаксійних-планарні структури NPN (50мА 10В) (h21е = 40-200) (КТЮ-3-1)

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

2Т306Г
Транзистори кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n перемикачні та посилені з ненормованим коефіцієнтом шуму.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) і перемикальних пристроях (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б). 
Транзистори випускаються в металосткляному корпусі з гнучкими виведеннями. 
Тип приладів вказується на корпусі. 
Маса транзизора не більш ніж 0,65 г.
Тип корпусу: КТЮ-3-1.
Технічні умови: СБ0.336.015 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора 2Т306Г:
• Структура транзизора: n-p-n
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 150 мВт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним евітером: не менш ніж 500 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 15 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мкА;
• h21Е — Статичний коефіцієнт передавання струму для схеми із загальним імітером у режимі великого сигналу: 40...200;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 5 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 30 Ом

Технічні характеристики транзисторів 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г:

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданої температури колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю. 
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• h21Э — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.