КТ342Ам транзистор PNP (50мА 30В) (h21э =100…250) (ТО92)

КТ342АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. 
Предназначены для применения в импульсных устройствах. 
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. 
Для транзисторов в пластмассовом корпусе используется условная маркировка: 
   - КТ342АМ - прямоугольный треугольник и буква «А», 
   - КТ342БМ - треугольник и буква «Б»; 
   - КТ342ВМ - треугольник и буква «В»; 
   - КТ342ГМ - треугольник и буква «Г»; 
   - КТ342ДМ - треугольник и буква «Д». 
Допускается также маркировка цветным кодом: 
   - КТ342АМ - синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса и темно-красная на торце; 
   - КТ342БМ - синяя и желтая метки; 
   - КТ342ВМ - синяя и темно-зеленая метки.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: ЖК3.365.227ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ342БМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс

Технические характеристики транзисторов КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

КТ242бм (кремниевый транзистор, p-n-p)