2Т637А-2 транзистор безкорпусной NPN 1.4 ГГц (0,3А 30В) (h21э: 30-90) 2W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

2Т637А-2
Транзисторы 2Т637А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре. 
Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе. 
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Технические условия: аА0.339.063 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т637А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...90;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,4 Вт на частоте 3 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т637А-2, КТ637А-2, КТ637Б-2:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. 
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.