2Т629А-2 транзистор безкорпусний PNP 250 vГц (1А 50В) (h21э: 25-80) 1W
85 ₴
- В наявності
- Код: 2Т629А-2
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
2Т629А-2
Транзисторы 2Т629А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные, на кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами.
Транзисторы 2Т629А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Технические условия: ЩЫ0.336.032 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т629А-2:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 90 пс
Характеристики транзисторов 2Т629А-2, 2Т629А-2Н, 2Т629АМ-2, 2Т629АМ-2Н, 2Т629А-5:
Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
2Т629А-2 | p-n-p | 1 | - | 50 | 50 | 4,5 | 0,18 (1) | 25…80 | - | <5 | <5 | - | >250 | <20 | - | 135 | -60…+125 |
2Т629А-2Н | p-n-p | 1 | - | 50 | 50 | 4,5 | 0,18 (1) | 25…80 | - | <5 | <5 | - | >250 | <20 | - | 135 | -60…+125 |
2Т629АМ-2 | p-n-p | 1 | - | 50 | 50 | 4,5 | 0,18 (1) | 25…80 | - | <5 | <5 | - | >250 | <20 | - | 135 | -60…+125 |
2Т629АМ-2Н | p-n-p | 1 | - | 50 | 50 | 4,5 | 0,18 (1) | 25…80 | - | <5 | <5 | - | >250 | <20 | - | 135 | -60…+125 |
2Т629А-5 | p-n-p | 1 | - | 50 | 50 | 4,5 | 0,18 (1) | 25…80 | - | <5 | <5 | - | >250 | <20 | - | 135 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Основні | |
---|---|
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 15 В |
Максимально допустимий струм колектора | 0.5 А |
Матеріал корпусу | Металоскло |
Тип біполярного транзистора | N-P-N |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Тип транзистора | Біполярний |
Виробник | Ама |
Користувацькі характеристики | |
виготовлення | Дискретне |
Країна походження | СРСР |
- Ціна: 85 ₴