Продавець Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти розвиває свій бізнес на Prom.ua 11 років.
Знак PRO означає, що продавець користується одним з платних пакетів послуг Prom.ua з розширеними функціональними можливостями.
Порівняти можливості діючих пакетів
Bigl.ua — приведет к покупке
Кошик
984 відгуків

Звертаємо Вашу увагу, що замовлення можуть оброблятися та відвантажуватися із затримкою (на час війни).

+380 (97) 608-12-04
+380 (95) 754-01-01
+380 (94) 925-37-07
Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти
Кошик

КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPN

83 ₴

  • В наявності
  • Код: КТ823В1
КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPN
КТ823В1 транзистор кремнієвий безкорпусний NPNВ наявності
83 ₴
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
+380 (97) 608-12-04
Kyivstar
  • +380 (95) 754-01-01
    Vodafone
  • +380 (94) 925-37-07
    Інтертелеком
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

  • Рисунок 1 - Схема биполярного транзистора КТ823В1

    Транзистор B1-B2/Iк

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В
    Rб*Cк
    псек

    нс
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(А/А)
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/Ом
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    А/А
    Iбм
    А
    Pк/Pт
    Вт/Вт
    Rпк
    C/Вт
    Пер
    КТ823В1 25- /1 3 75/5     0.6(1/0.1)   100/1000 5 2/4 0.5 /20 5 NPN  
  • Область применения: для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах

  • Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ823В1

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
    tр нс  
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/Ом максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн А/А предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Iбм А предельно допустимый постоянный ток базы
    Pк/Pт Вт/Вт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
    Rпк C/Вт тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение. 
 
Характеристики
Основні
Максимально допустима напруга колектор-емітер15 В
Максимально допустимий струм колектора0.5 А
Матеріал корпусуМеталоскло
Тип біполярного транзистораN-P-N
Тип монтажуРучний монтаж
Тип транзистораБіполярний
Користувацькі характеристики
виготовленняДискретне
Країна походженняСРСР
Інформація для замовлення
  • Ціна: 83 ₴

Наскільки вам зручно на сайті?

Розповісти Feedback form banner