2Т203Г PNP транзистор (30мА 60В) (һ21Э >40)Au (ТО18)
Зображення служать тільки для ознайомлення
См. специфікації продукту
|
2Т203Г
кремнієві Транзистори епітаксиально-планарні структури p-n-p підсилювальні.
Транзистори 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д призначені для застосування в підсилювачах і імпульсних пристроях.
Випускаються в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора не більше 0,5 р.
Тип корпусу: КТ-1-7.
Технічні умови: ЩЫ3.365.007 ТУ.
Характеристики транзисторів 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д:
Тип
транзистора |
Структура |
Граничні значення параметрів при Тп=25°С |
Значення параметрів при Тп=25°С |
ТП
max |
Т
max |
ІК
max |
ІК. В.
max |
UКЭR max
(UКЭ0 max) |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max |
һ21Э |
UКЭ
нас. |
ІКБО |
ІЭБО |
f гр. |
КШ |
СК |
СЕ |
| мА |
мА |
В |
В |
В |
мВт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°З |
°З |
| 2Т203А |
p-n-p |
10 |
50 |
60 |
60 |
30 |
150 |
>9 |
0,5 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203Б |
p-n-p |
10 |
50 |
30 |
30 |
15 |
150 |
30...90 |
1 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203В |
p-n-p |
10 |
50 |
15 |
15 |
10 |
150 |
15...100 |
0,5 |
1 |
- |
>5 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203Г |
p-n-p |
10 |
50 |
60 |
60 |
30 |
150 |
>40 |
0,5 |
1 |
- |
>10 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
| 2Т203Д |
p-n-p |
10 |
50 |
15 |
15 |
10 |
150 |
60...200 |
0,35 |
1 |
- |
>10 |
- |
10 |
- |
150 |
-60...+125 |
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• ІК max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• ІК. В. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЭ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзистора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.
|
кремнієвий транзистор p-n-p
