КТ339А n-p-n, епітаксійних-планарний, кремнієвий, підсилювальний (250 mW 40В) (300 МГц) Au (ТО72)

Транзистор КТ339А - структури n-p-n, епітаксійних-планарний, кремнієвий, підсилювальний.

Основне використання - підсилювачі високої частоти.

Має металоскляний корпус, висновки гнучкі. На корпусі наноситься тип приладу. Важить не більше 0.4 м

Электрические параметры КТ339А
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 10 В, Iэ = 7 мА, не менее    25
• Коэффициент усиления по мощности
при Uкэ = 1.6 В, Iк = 7.2 мА, f = 35 МГц, не менее    24 дБ
• Граничная частота коэффициента передачи тока
при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, не менее    300 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 7 мА, не более    25 нс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более    2 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики КТ339А
• Постоянное напряжение Б-К    40 В
• Постоянное напряжение К-Э
25 В
• Постоянное напряжение Б-Э    4 В
• Ток коллектора (постоянный)    25 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при Т = −60...+50°C   
250 мВт
• Температура перехода (p-n)    +175°C
• Рабочая температура (окружающей среды)    −60...+160°C
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, вывод базы должен подсоединяться первым, а отсоединяться последним.

Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм, радиус закругления не менее 1.5 мм.

Пайка висновків допускається не ближче 5 мм від корпусу транзистора.