КТ339Ам NPN транзистор 300МГц (25мА 40В) (һ21э: 25) 0,26 W (ТО92)

КТ339Ам NPN транзистор 300МГц (25мА 40В) (һ21э: 25) 0,26 W (ТО92)

КТ339АМ
кремнієві Транзистори епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти.
Транзистори КТ339А випускаються в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками - КТ-1-12.
Транзистори КТ339АМ випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками - КТ-26.
Тип приладів вказується на корпусі і в етикетці.
Маса транзистора в металлостеклянном корпусі не більше 0,4 м, в пластмасовому корпусі не більше 0,3 р.

Технічні характеристики транзисторів КТ339А, КТ339АМ:

Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IДо max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• IК. І. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UKR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЕ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЕБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РДо max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• РК. І. max - максимально допустима імпульсна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• h21Е - коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в режимі малого сигналу в схемі з загальним емітером.
• UКЕ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• f h21 - гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора.
• ДоШ - коефіцієнт шуму транзистора.
• ЗДо - ємність колекторного переходу.
• ЗЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.

Корпус: