КТ3102Д (Au) транзистор NPN (200мА 30В) (h21э:200-500) 0,25W (ТО18)
42,20 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 грн
- Під замовлення
- Код: КТ3102Д Au
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ3102Д (Au) транзистор NPN (200мА 30В) (h21э:200-500) 0,25W (ТО18)
КТ3102Е
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.122 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100...250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
Характеристики транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К:
Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
|||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
КТ3102А | n-p-n | 100 | 200 | 50 | 50 | 5 | 250 | 100…250 | - | 0,05 | 300 | 10 | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102Б | n-p-n | 100 | 200 | 50 | 50 | 5 | 250 | 200…500 | - | 0,05 | 300 | 10 | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102В | n-p-n | 100 | 200 | 30 | 30 | 5 | 250 | 200…500 | - | 0,015 | 300 | 10 | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102Г | n-p-n | 100 | 200 | 20 | 20 | 5 | 250 | 400…1000 | - | 0,015 | 300 | 10 | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102Д | n-p-n | 100 | 200 | 30 | 30 | 5 | 250 | 200…500 | - | 0,015 | 300 | 4 | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102Е | n-p-n | 100 | 200 | 20 | 20 | 5 | 250 | 400…1000 | - | 0,015 | 300 | 4 | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102Ж | n-p-n | 100 | 200 | 50 | 50 | 5 | 250 | 100…250 | - | 0,05 | 300 | - | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102И | n-p-n | 100 | 200 | 50 | 50 | 5 | 250 | 200…500 | - | 0,05 | 300 | - | 6 | - | 125 | -40…+85 |
КТ3102К | n-p-n | 100 | 200 | 30 | 30 | 5 | 250 | 200…500 | - | 0,015 | 300 | - | 6 | - | 125 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
Корпус:
Основні | |
---|---|
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
Максимально допустимий струм колектора | 0.2 А |
Матеріал корпусу | Пластик |
Тип біполярного транзистора | N-P-N |
Тип монтажу | Ручний монтаж |
Тип транзистора | Біполярний |
Користувацькі характеристики | |
виготовлення | Дискретне |
Країна походження | СРСР |
Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 42,20 ₴