|
КТ503А
Транзистори КТ503А кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується на етикетці.
Маса транзистора не більше 0,3 р.
Тип корпусу: КТ-26.
Технічні умови: аА0.336.183 ТУ/02.
Технічні характеристики транзисторів КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е:
Тип
транзистора |
Структура |
Граничні значення параметрів при Тп=25°С |
Значення параметрів при Тп=25°С |
ТП
max |
Т
max |
ІК
max |
ІК. В.
max |
UКЭ0 max |
UКБ0 max |
UЭБ0 max |
РК max
(РК. Т. max) |
һ21Э |
UКЭ
нас. |
ІКБО |
ІЭБО |
f гр. |
КШ |
СК |
СЕ |
| А |
А |
В |
В |
В |
Вт |
|
В |
мкА |
мкА |
МГц |
дБ |
пФ |
пФ |
°З |
°З |
| КТ503А |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
25 |
40 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40...+85 |
| КТ503Б |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
25 |
40 |
5 |
0,35 |
80...240 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40...+85 |
| КТ503В |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
40 |
60 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40...+85 |
| КТ503Г |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
40 |
60 |
5 |
0,35 |
80...240 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40...+85 |
| КТ503Д |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
60 |
80 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40...+85 |
| КТ503Е |
n-p-n |
0,15 |
0,35 |
80 |
100 |
5 |
0,35 |
40...120 |
0,6 |
1 |
- |
5 |
- |
50 |
- |
125 |
-40...+85 |
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• ІК max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• ІК. В. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЭ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора з тепловідводом.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзистора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.
|
1
350
1
350
1
350
1
350
1
350
1
350
