КТ502А PNP транзистор (350мА 40В) (һ21э: 40-120) 0,3 W (ТО92)
3,80 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: КТ502А
- +380 (95) 754-01-01Vodafone
- +380 (94) 925-37-07Інтертелеком
КТ502Б PNP транзистор (350мА 40В) (һ21э: 80-240) 0,3 W (ТО92)
КТ502Б
Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах.
Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується на корпусі.
Маса транзистора не більше 0,3 р.
Тип корпусу: КТ-26.
Технічні умови: аА0.336.182 ТУ/02.
Технічні характеристики транзисторів КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е:
| Тип транзистора |
Структура | Граничні значення параметрів при Тп=25°С | Значення параметрів при Тп=25°С | ТП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ІК max |
ІК. В. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | һ21Э | UКЭ нас. |
ІКБО | ІЭБО | IКЭR | f гр. | СК | СЕ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °З | °З | |||
| КТ502А | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 25 | 40 | 5 | 0,35 | 40...120 | <0,6 | <1 | - | - | >5 | <50 | - | 125 | -40...+85 |
| КТ502Б | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 25 | 40 | 5 | 0,35 | 80...240 | <0,6 | <1 | - | - | >5 | <50 | - | 125 | -40...+85 |
| КТ502В | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 40 | 60 | 5 | 0,35 | 40...120 | <0,6 | <1 | - | - | >5 | <50 | - | 125 | -40...+85 |
| КТ502Г | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 40 | 60 | 5 | 0,35 | 80...240 | <0,6 | <1 | - | - | >5 | <50 | - | 125 | -40...+85 |
| КТ502Д | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 60 | 80 | 5 | 0,35 | 40...120 | <0,6 | <1 | - | - | >5 | <50 | - | 125 | -40...+85 |
| КТ502Е | p-n-p | 0,15 | 0,35 | 80 | 90 | 5 | 0,35 | 40...120 | <0,6 | <1 | - | - | >5 | <50 | - | 125 | -40...+85 |
Умовні позначення електричних параметрів транзисторів:
• ІК max - максимально допустимий постійний струм колектора транзистора.
• ІК. В. max - максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max - максимальна напруга між колектором і емітером при заданому струмі колектора і опорі в ланцюзі база-емітер.
• UКЭ0 max - максимальна напруга між колектором і емітером транзистора при заданому струмі колектора і струмі бази, рівним нулю.
• UКБ0 max - максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектора і струмі емітера, рівним нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустима постійна напруга емітер-база при струмі колектора, рівному нулю.
• РК max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустима постійна потужність, рассеивающаяся на колекторі транзистора з тепловідводом.
• һ21Э - статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напруга насичення між колектором і емітером транзистора.
• ІКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база і розімкнутому виведення емітера.
• ІЭБО- зворотний струм емітера. Струм через емітерний перехід при заданій зворотній напрузі емітер-база і розімкнутому виведення колектора.
• IКЭR - зворотний струм колектор-емітер при заданій зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база - емітер.
• f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЕ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max - максимально допустима температура навколишнього середовища.
| Основні | |
|---|---|
| Коефіцієнт шуму | 10 дБ |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 40 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.2 А |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| виготовлення | Дискретне |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 3,80 ₴
- Спосіб упаковки: упаковка 250 шт